隨著電子器件特別是第三代半導(dǎo)體的興起和應(yīng)用,半導(dǎo)體器件越來(lái)越小型化、集成化、多功能化,對(duì)襯底封裝性能提出了更高的要求。陶瓷基板具有高導(dǎo)熱性和耐熱性、低熱膨脹系數(shù)、高機(jī)械和絕緣強(qiáng)度、耐腐蝕和抗輻射等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電子器件封裝。
由于具有優(yōu)異的硬度、機(jī)械強(qiáng)度和散熱性,氮化硅陶瓷和氮化鋁陶瓷基板都可以制成用于電子封裝的陶瓷基板,同時(shí)它們也具有不同的性能和優(yōu)勢(shì)。以下就是區(qū)別。
1、散熱差異
氮化硅陶瓷基板的導(dǎo)熱系數(shù)為75-80W/m-k,而鋁陶瓷基板則在170W/m-k以上,可見(jiàn)氮化鋁陶瓷基板的優(yōu)勢(shì)。
2、電量差異
氮化硅陶瓷基板的電流容量為300A,鋁陶瓷基板為100-300A。
3、機(jī)械強(qiáng)度的差異
氮化硅陶瓷基板比氮化鋁陶瓷基板具有更好的斷裂韌性,不易斷裂。此外,氮化硅陶瓷基板具有更高的彎曲強(qiáng)度。氮化鋁陶瓷基板的抗折強(qiáng)度為365-420Mpa,氮化硅陶瓷基板為720Mpa。同時(shí),氮化硅基板具有更高的硬度和更好的耐磨性,這將提高機(jī)械強(qiáng)度和抗沖擊性,使基板更加可靠。
4、應(yīng)用上的區(qū)別
基于氮化硅陶瓷基板和氮化鋁陶瓷基板的性能差異,它們被用于不同的領(lǐng)域。氮化鋁陶瓷基板更適用于高導(dǎo)熱、高絕緣和大電流應(yīng)用。
如大功率導(dǎo)熱器件、大功率LED模組、半導(dǎo)體模組電路等。氮化硅陶瓷基板機(jī)械強(qiáng)度高、導(dǎo)熱性好,常用于高強(qiáng)度、低密度、耐磨性好的產(chǎn)品,例如汽車逆變器、減速器和減震器。